- новая электроника (решения для современной потребительской электроники);
- прикладные лазерные технологии (для медицины, промышленности, охраны окружающей среды);
- новые материалы (включая углеродные и композиционные материалы, оптические покрытия);
- приборостроение, прототипирование и технологический инжиниринг;
- медицина будущего (персональная медицина, IT-решения для отрасли).
Для реализации каждого из направлений формируются Технологические компании, обладающие экспертными компетенциями и необходимыми ресурсами (включая оборудование). На их базе для вывода конечной продукции на глобальные рынки будут создаваться стартапы. На сегодняшний день в наноцентре уже создано 3 Технологические компании в области новой электроники, лазерных технологий и новых материалов, сообщает пресс-служба РОСНАНО.
По словам генерального директора ТЕХНОСПАРК Виктора Сиднева, важным конкурентным преимуществом дочерних компаний наноцентра является их интеграция в глобальные технологические цепочки в качестве полноправных участников.
Первой такой компанией стала «ЭУФ Лабс», созданная на базе технологий Института Спектроскопии РАН. Разрабатываемые там источники экстремального ультрафиолетового излучения сейчас встраиваются в литографическое оборудование нидерландской компании ASML. Такое оборудование позволит Intel и AMD выпускать микросхемы с топологическими нормами менее 20 нм.
Другой стартап наноцентра при участии партнеров из Аризонского университета создает пикосекундные лазеры, применяемые для обработки материалов и маркировки изделий, например, корпусов смартфонов, планшетов и микрокомпьютеров. Компания «СВД.Спарк» в рамках специализации в области новых материалов разрабатывает алмазные детекторы, которые будут поставляться совместно с оборудованием для лучевой терапии для американской компании Varian Medical Systems, Inc.
Для технологических компаний и стартапов Троицкого Наноцентра уже построено два лабораторно-производственных корпуса, в которых идет монтаж оборудования.
Ожидается, что ТЕХНОСПАРК будет запущен в 3 квартале 2013 года.
